Samsung Foundry được thiết lập để ra mắt các quy trình sản xuất chip 3nm và 4nm cải tiến của mình tại Hội nghị chuyên đề VLSI 2023 vào tháng 6. Sự kiện sẽ diễn ra từ ngày 11 đến ngày 16 tháng 6 năm 2023 tại Kyoto, Nhật Bản. Trong sự kiện ngành công nghiệp chip, nhà sản xuất chip Hàn Quốc sẽ trình bày chi tiết các quy trình 3nm thế hệ thứ hai và 4nm thế hệ thứ tư của mình.
Cả hai quy trình mới đều quan trọng đối với Samsung Foundry vì chúng sẽ giúp công ty có được nhiều khách hàng hơn. Quy trình 4nm của công ty được sử dụng để chế tạo chipset Exynos 2200 và Snapdragon 8 Gen 1 đã bị chỉ trích rất nhiều vì nó không hiệu quả bằng quy trình 4nm của TSMC được sử dụng để sản xuất A16 của Apple, Snapdragon 8 Gen 2, Dimensity 9000 và Nvidia. GPU dòng RTX 4000.
Các chip được sản xuất bằng quy trình SF3 (3nm GAP) và SF4X (4nm EUV) của Samsung Foundry để mang lại hiệu suất và hiệu quả được cải thiện
Quy trình sản xuất chip SF3 của Samsung Foundry sẽ sử dụng Công nghệ GAP 3nm. Đây là phiên bản cải tiến của quy trình SF3E đã được sử dụng để sản xuất chip vào nửa cuối năm 2022. Quy trình mới này dựa trên bóng bán dẫn GAA (Gate All Around) cải tiến của Samsung, mà công ty gọi là MBCFET (Multi-Bridge-Channel Field-Transistor hiệu ứng). Nút này hứa hẹn sẽ tối ưu hóa hơn nữa, nhưng công ty không so sánh trực tiếp với quy trình 3nm thế hệ đầu tiên của mình.
So với SF4 (4nm EUV LPP), SF3 được cho là nhanh hơn 22% ở cùng công suất hoặc tiết kiệm điện hơn 34% ở cùng tốc độ xung nhịp và số lượng bóng bán dẫn. Nó cũng được cho là cung cấp 21% nhỏ hơn trong khu vực logic. Trong nhiều năm, một trong những ưu điểm chính của quy trình GAA được cho là thay đổi độ rộng kênh nanosheet trong cùng loại tế bào và Samsung Foundry nói rằng quy trình SF3 của họ hỗ trợ điều đó. Điều đó có thể có nghĩa là SF3E (quy trình 3nm thế hệ đầu tiên) không hỗ trợ đầy đủ tính năng này.
Quy trình 3nm thế hệ thứ hai của Samsung có thể được sử dụng cho Exynos 2500 và Snapdragon 8 Gen 4
Thông thường, Các quy trình sản xuất chip thế hệ đầucủa Samsung không được sử dụng rộng rãi, trong khi các thế hệ sau được nhiều hãng chip khác nhau sử dụng. Theo thành tích của Samsung Foundry, công nghệ chế tạo chip 3nm thế hệ thứ hai của họ có thể được sử dụng bởi ít nhất một khách hàng chip lớn. Một số tin đồn cho rằng Exynos 2500 và Snapdragon 8 Gen 4 có thể sử dụng quy trình SF3.
Quy trình 4nm thế hệ thứ tư của công ty Hàn Quốc, được thiết kế để sử dụng cho các ứng dụng điện toán hiệu năng cao như CPU máy chủ và GPU, giúp tăng hiệu suất 10% và cải thiện hiệu suất điện năng 23% so với quy trình SF4 (4nm thế hệ thứ hai). Quy trình mới này sẽ cạnh tranh với các nút N4P (4nm thế hệ thứ hai) và N4X (4nm thế hệ thứ ba) của TSMC, sẽ ra mắt lần lượt vào năm 2024 và 2025.
Theo AnandTech, SF4X của Samsung Foundry là nút đầu tiên của công ty trong những năm gần đây được xây dựng với tính toán hiệu năng cao, điều đó có thể có nghĩa là họ đang mong đợi nhu cầu tốt từ khách hàng của mình.
