SK hynix HBM3E メモリ最大 8 Gbps
SK hynix は、最初のデータセンター製品として 10 億メモリが検証されたと発表しました。このノードは、DDR5 および HBM3E メモリの生産に使用されます。後者は、高帯域幅メモリのさらに高速なバージョンです。
同社は次のことを確認しました。 Xeon スケーラブル プラットフォームは、第 5 世代 10nm プロセス ノードに基づく DDR5 製品をサポートすることがインテルによって認定されました。 1bnm DDR5 メモリの評価が成功したのは、1anm (第 4 世代 10nm ノード) が準備完了し、インテルの検証も完了したのと同じです。発表によると、最初の DDR5 メモリは 6.4 Gbps の転送速度を提供し、これは DDR5 開発の「初期」の製品と比べて 33% 向上しています。
さらに重要なことは、 、1bnm DDR5 メモリの消費電力は 1nm ノードより 20% 少なくなります。これは、HKMB の製造プロセスで、漏れ電流を防止し、静電容量を向上させる高誘電率材料が導入されているためである、と同社は述べています。
また重要なのは、1bnm モジュールが HBM3E (HBM3 Extended) でも使用されるかどうかの確認です。 ）。 SK ハイニックスは、このタイプの高帯域幅メモリが 8 Gbps のデータ処理速度を可能にし、2024 年に量産開始されることを確認しているだけです。これは、HBM3 よりも 25% 増加し、第 1 世代の HBM メモリよりも 8 倍です。
「下半期からメモリ市場が回復に向かうとの期待が高まる中、今回の10億プロセスの量産化で改めて実証された業界トップクラスのDRAM技術が、今後の収益向上に貢献すると考えております」 SK ハイニックスの DRAM 開発責任者である Jonghwan Kim 氏は、2024 年上半期には LPDDR5T や HBM3E などのより幅広い製品に 10 億プロセスが採用されるだろうと付け加えました。
-SK ハイニックス
出典: SK ハイニックス