Hình ảnh: GIGABYTE
GIGABYTE đã thông báo rằng một cột mốc ép xung bộ nhớ DDR5 mới đã đạt được bằng cách sử dụng một trong những bo mạch chủ cao cấp hỗ trợ bộ xử lý Intel Core thế hệ thứ 12 và 13, Z790 AORUS TACHYON. Theo mục có liên quan trên HWBOT, Hicookie, một chuyên gia ép xung nổi tiếng, đã đạt mức ép xung bộ nhớ của DDR-11254 vào đầu tháng này, đưa anh ấy vượt lên trên những nỗ lực ấn tượng khác nhưng kém hơn một chút, bao gồm những nỗ lực từ Seby9123 và lupin_no_musume. Intel Core i9-13900K thế hệ thứ 13 đã được sử dụng trong nỗ lực ép xung, làm mát bằng nitơ lỏng.
Từ Thông cáo báo chí của GIGABYTE:
Chuyên gia ép xung đáng kính HiCookie một lần nữa đã vượt qua các giới hạn về hiệu suất, phá vỡ kỷ lục thế giới về ép xung bộ nhớ DDR5. Z790 AORUS TACHYON đã đạt được tần số DDR5-11254 đáng kinh ngạc, vượt qua mọi kỷ lục trước đó. Thành tích đáng nể này củng cố cam kết của GIGABYTE trong việc cung cấp công nghệ tiên tiến cho những người đam mê ép xung.
GIGABYTE Z790 AORUS TACHYON là bo mạch chủ được thiết kế dành riêng cho những người đam mê ép xung, cung cấp các khả năng đặc biệt với thiết kế năng lượng kỹ thuật số tiên tiến. Thông qua việc tối ưu hóa theo dõi bộ nhớ và triển khai Định tuyến bộ nhớ được bảo vệ, Z790 AORUS TACHYON đạt được tần số DDR5-11254 ấn tượng, thể hiện thiết kế tiên tiến và hiệu suất chưa từng có. Bo mạch chủ này cũng có bộ công cụ ép xung tích hợp, được trang bị các phím tắt tiện lợi, công tắc chuyển đổi và chức năng phát hiện điện áp, cho phép các chuyên gia ép xung vượt qua các giới hạn một cách dễ dàng.
Bằng cách tận dụng sức mạnh to lớn của bo mạch chủ Z790 AORUS TACHYON và bo mạch chủ hiệu suất vượt trội của mô-đun bộ nhớ AORUS DDR5, HiCookie đã đạt được một cột mốc đột phá. Tần số DDR5-11254 thể hiện mức hiệu năng chưa từng có và tái khẳng định cam kết của GIGABYTE trong việc cung cấp công nghệ tiên tiến nhất cho cộng đồng ép xung.
Hình ảnh: GIGABYTE
Tham gia thảo luận về bài đăng này trên các diễn đàn của chúng tôi…
